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LED三维封装原理及芯片优化
[2011/8/2 9:36:00]   来源:中国之光网   编辑:zhaomingr   评论0
摘要:为了使LED通向照明,各大厂急需解决的问题是降低成本,增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下,如何注入大电流。 本封装适合于垂直结构LED,工艺上取消原来的LED芯片N--面ITO电极,取代的是涂布型透明电......
为了使LED通向照明,各大厂急需解决的问题是降低成本,增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下,如何注入大电流。


  本封装适合于垂直结构LED,工艺上取消原来的LED芯片N--面ITO电极,取代的是涂布型透明电极工艺结合PET薄膜形成无金线的封装模式。


  具体步骤如图B,LED垂直结构芯片(2)P--面焊接与基板(1)正电极,导电基材Cu(3)焊接与基板(1)负电极,LED芯片与基材Cu的高度基本一致,涂布型透明导电材料(4)涂布于PET薄膜(5),涂布型透明导电材料(4)连接LED芯片(2)N--面与导电基材Cu(3) 顶部。形成三维薄膜封装。


  LED芯片结构优化如图A,芯片N--面无需制作电极,无需电流扩散,无需焊盘。取代原有ITO电极将是涂布型透明电极。


  三维封装优势;1)芯片N--面的电流注入与P--面基本相似,形成等电位电流。可以注入大电流。2)电极形式优于梳状电极可以加大芯片尺寸,提高光效。3)增加光通量,降低成本。4)薄膜封装实现轻薄化。5)无金线封装增加器件稳定性。6)便于模块化生产。


  芯片层面;1)取消电极删,减少遮光。2)无电极制作,减化工艺。


  注;涂布型透明电极是替代ITO的一种趋势。现有涂布型材料透光率80%以上;包括1)涂布型ITO导电颗粒,2)高分子导电材料,3)纳米银导电颗粒,4)Ag丝墨。其中电阻最低的是Ag丝。方阻0.1-----0.2欧姆。优于ITO方阻7----8欧姆。

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